Material InGaN/GaN/SiC d = 5 mm, 20° Pd = 100 mW If = 20 mA If max = 30 mA IR (VR=5v) = 100 uA Iv (If=20mA) =12000 mcd
Нет отзывов об этом продукте
Написать отзыв
Вы можете задать нам вопрос(ы) с помощью следующей формы.
Пожалуйста, сформулируйте Ваши вопросы относительно BUYC333W20 BA12:
BUPGC333W20 BA14(1)BT-160(1)QJT-34JS(1)SK-12F18(1)SYS 1088-W2E(1)KCD1-110(1)SS-23E06/23E07(1)Движковые переключатели(1)СС(1)SS-22G10(1)SP-25(1)Серия 2220 ML-A(1)SYS 1319-T3(1)Адаптеры для программирования микросхем SDP-7064-68(1)QJT-70JS(1)KAN-5L(1)LSA-12C(1)450ICV30605(1)KAN-2(1)SS-11L(1)
Для просмотра нужен Flash Player 9 или вновее.
