Material InGaN/GaN/SiC d = 5 mm, 120° Pd = 100 mW If = 20 mA If max = 30 mA IR (VR=5v) = 100 uA Iv (If=20mA) =700 mcd
Нет отзывов об этом продукте
Написать отзыв
Вы можете задать нам вопрос(ы) с помощью следующей формы.
Пожалуйста, сформулируйте Ваши вопросы относительно BUBC333W120 BA01:
KAN-5L(1)KCD1-106NC(1)SS-23H27(1)SS-12F75(1)Серия 2220 ML-A(1)SYS 1319-T3(1)DXX2502 / VNZ1757(1)SS-12E09(1)СС(1)LSA-12C(1)Движковые переключатели(1)SS-22P22(1)KCD1-110(1)BT-160(1)Стяжки RCT(1)SYS 1088-W2E(1)Адаптеры для программирования микросхем SDP-7064-68(1)KBPC5010(1)QJT-34JS(1)ST-11(1)
Для просмотра нужен Flash Player 9 или вновее.
