Material InGaN/GaN/SiC d = 5 mm, 24° Pd = 100 mW If = 20 mA If max = 30 mA IR (VR=5v) = 100 uA Iv (If=20mA) = 25000 mcd
Нет отзывов об этом продукте
Написать отзыв
Вы можете задать нам вопрос(ы) с помощью следующей формы.
Пожалуйста, сформулируйте Ваши вопросы относительно BUWC333W24 BA25 C07:
BMS-5(1)QJT-750SH; QJT-755VF(1)SP-25(1)SYS 1088-W2E(1)SS-23H27(1)СС(1)SS-12L04(1)SYS 1319-T3(1)DXX2502 / VNZ1757(1)SS-12E09(1)SS-22G10(1)SS-22P22(1)SS-24N06(1)QJT-34JS(1)SAM-1(1)Адаптеры для программирования микросхем SDP-7064-68(1)Переключатель NS серия NS30(1)движковый переключатель(1)SS-23E06/23E07(1)KBPC5010(1)
Для просмотра нужен Flash Player 9 или вновее.
